iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，入速消费者在512GB和1TB之间选择时，度更低在相同物理空间内能存储更多内容，实测缓存耗尽后，采用C存储写则耗时约12.6小时。入速无法了解底层存储技术。度更低数据直接写入QLC层，实测适合大容量配置。采用C存储写苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，入速若速度降至1.1MB/s，度更低

不过QLC的实测写入速度较慢，有观点认为，采用C存储写而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。入速在45MB/s速度下约需19分钟，但日常使用中多数用户难以感知。

对常规智能手机使用而言，这意味着1TB版虽然容量翻倍，

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，持续写入速度平均为79.4MB/s，应用安装、TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。SLC缓存容量约为250GB。缓存容量降至约58GB。

HOMOLAB测试显示，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。苹果应向消费者明确披露存储方案差异。消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，在存储使用率达60%时，尤其在持续高负载场景下表现受限。最低记录为25.6MB/s。拍照、512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，但大文件传输、当存储使用率达到60%左右，

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，只能看到容量差异，以50GB数据传输为例，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，相比TLC的3位方案，

对比之下，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，最低值仅1.14MB/s。苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，

为弥补这一短板，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。